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Gas
flow technology는 Gas delivery system(MFC, EPC, Valve,
등)을 조합하여 Dead volume이 없고 빠른 응답속도와 유지 및 관리가 편리한 설계, 모듈화
설계로 고객의 요구에 쉽게 변경이 가능하여 질화물 반도체의 애플리케이션에 쉽게 대응 할 수 있는
구조로 설계되어있습니다.
Gas injection head(Shower head)는 Gas-phase reaction을 최소화
시켜, 공정 부산물의 형성을 최소화할 수 있는 구조로 설계되어 있고, NH3, dopant gas(SiH4),
Mo-sources 등을 균일한 조성비로 웨이퍼 표면에 분사시켜 주므로 웨이퍼의 자전기능 없이도
균일한 두께 및 고품질의 박막을 얻을 수 있다. |
또한
High-composition AlGaN 박막이 가능하게 Injection head 표면을 E.P.(Electro-polishing)공정으로
제작하였으며, 신뢰성 있는 공정기술로 제작되어 장기간 유지 및 보수 없이 사용할 수 있습니다. |
시스넥스는
유도가열코일과 서셉터(susceptor) 형상의 최적설계를 통한 유도가열시스템을 개발하여 Marvel
시리즈에 채택하고 있습니다. 이는 양산용 MOCVD 장비인 Marvel 260에서 6장의 성장 웨이퍼
전영역에서 매우 높은 온도 균일도를 만들어낼 수 있습니다.
MOCVD 시스템의 핵심인 서셉터 가열을 위한 이와 같은 도전적인 유도 가열식 접근은 시스넥스만의
기술적 진보성과 독창성을 대변하고 있으며 끊임없는 연구개발에 대한 결과로 이루어진 하이테크놀로지입니다. |
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■ Fast and accurate temperature
control
■ Long lifetime of heating system
■ Easy setup and maintenance
■ Excellent temperature uniformity
....less than ±2℃ at 1000℃(each
wafer pockets) |
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Susceptor Heat & Cooling
Rate Specification
- Heating Time ≤ 2min (From 450 °C to 1000 °C)
- Cooling Time ≤ 3min (From 1000 °C to 450 °C) |
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